该系列倾角传感器由我公司自行研制，用于测量单轴倾角的传感器。它采用高精度MEMS芯片，仪器级精度，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性，并具有自检测（Self-Test）功能，可实现BIT（Built-In-Test）检测.具有数字和模拟两种输出形式。该产品随温度和时间的变化仍有极好的可靠性和稳定性。此外，它还具有高分辨率、低噪声、承受高过载的特点。

  本产品可用于倾角测量仪器、位置测量、加速度和运动测量、汽车测控、惯性导航、地震监控等测量系统中。

 

    该系列单轴倾角变送器是依据加速度传感器倾斜后的角度与重力加速度成函数关系的原理来测量倾角的。加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的中央板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。

 

 

1）供电

1.1 供电电压（V.DC）               +24

1.2 输入电流(mA)                   <45

2）性能

2.1测量范围(°)                   ±45

2.2零位(0g)偏置电压(mA)           12±0.1

2.3偏置温漂温度系数(mg/℃)        ±0.1

2.4 输出灵敏度（mA／ｇ）           11.3137±1

2.5满量程输出电流Iout（mA）       4～20

2.6非线性度(%)                    ≤±0.5

2.8带宽(HZ，-3 dB)                 0～10

2.9输出噪声密度（μg/√Hz）        15

2.10长期稳定性（mg）               0.25

 

1）使用温度(℃)                      -40～+125

2）储存温度(℃)                      -55～+125

3）耐加速度：

3.1任意轴,不供电(g)           >10000

3.2任意轴,供电(g)             >10000